Күкерт гексафлуорид - изоляцион үзенчәлекләргә ия газ һәм еш кына югары көчәнешле дугада сүндерүдә һәм трансформаторларда, югары көчәнешле тапшыру линияләрендә, трансформаторларда һ.б. кулланыла. Ләкин, бу функцияләргә өстәп, күкерт гексафлорид электрон этант буларак та кулланылырга мөмкин. Электрон класс югары чисталыклы күкерт гексафлорид - микроэлектроника технологиясе өлкәсендә киң кулланылган идеаль электрон этант. Бүген Niu Ruide махсус газ редакторы ueюй кремний нитрид эфирында күкерт гексафлоридын куллану һәм төрле параметрларның йогынтысы белән таныштырачак.
Без SF6 плазманы эшкәртү SiNx процессын тикшерәбез, шул исәптән плазма көчен үзгәртү, SF6 / He газ коэффициенты һәм O2 катион газын өстәү, аның TFT SiNx элементын саклау катламының эфир тизлегенә йогынтысы турында сөйләшү, һәм плазма нурланышын куллану.
Тикшеренүләр ачыклаганча, плазма көче артканда, эфир тизлеге арта; плазмадагы SF6 агым тизлеге артса, F атом концентрациясе арта һәм эфир тизлеге белән уңай корреляцияләнә. Моннан тыш, тотрыклы гомуми агым тизлеге буенча O2 катион газын кушканнан соң, ул эфир тизлеген арттыру эффектына ия булачак, ләкин төрле O2 / SF6 агым ставкалары астында төрле реакция механизмнары булачак, аларны өч өлешкә бүлеп була: ) ләкин шул ук вакытта плазмадагы O атомнары да арта һәм SiNx кино өслеге белән SiOx яки SiNxO (yx) формалаштыру җиңел, һәм O атомнары арта барган саен, F атомнары эфир реакциясе өчен авыррак булачак. Шуңа күрә, O2 / SF6 нисбәте 1гә якын булганда, эфир тизлеге акрыная башлый. О2ның зур үсеше аркасында, аерылган F атомнары O2 һәм OF формасы белән бәрелешәләр, бу F атомнары концентрациясен киметә, нәтиҗәдә эфир тизлеге кими. Моннан күренеп тора, O2 кушылгач, O2 / SF6 агым коэффициенты 0,2 белән 0,8 арасында, һәм иң яхшы эфир тизлеге алына ала.
Пост вакыты: дек-06-2021
