Күкерт гексафториды - бик яхшы изоляция үзенчәлекләренә ия газ һәм ул еш кына югары вольтлы дуга сүндерүдә һәм трансформаторларда, югары вольтлы тапшыру линияләрендә, трансформаторларда һ.б. кулланыла. Ләкин, бу функцияләрдән тыш, күкерт гексафториды электрон йомшарткыч буларак та кулланылырга мөмкин. Электрон класслы югары чисталыклы күкерт гексафториды - микроэлектроника технологияләре өлкәсендә киң кулланыла торган идеаль электрон йомшарткыч. Бүген Niu Ruide махсус газ мөхәррире Yueyue кремний нитридын йомшартуда күкерт гексафторидын куллану һәм төрле параметрларның йогынтысы белән таныштырачак.
Без SF6 плазмасында SiNx эшкәртү процессын тикшерәбез, шул исәптән плазма көчен, SF6/He газ нисбәтен үзгәртү һәм O2 катион газын өстәү, аның TFT'ның SiNx элементын саклау катламының эшкәртү тизлегенә йогынтысын тикшерү һәм плазма нурланышын куллану. Спектрометр SF6/He, SF6/He/O2 плазмасындагы һәр төрнең концентрация үзгәрешләрен һәм SF6 диссоциация тизлеген анализлый, һәм SiNx эшкәртү тизлеге үзгәреше белән плазма төрләренең концентрациясе арасындагы бәйләнешне өйрәнә.
Тикшеренүләр күрсәткәнчә, плазма көче артканда, эшкәртү тизлеге арта; плазмадагы SF6 агымы тизлеге артса, F атомы концентрациясе арта һәм эшкәртү тизлеге белән уңай корреляциягә ия. Моннан тыш, катион газы O2 билгеләнгән гомуми агым тизлеге астында өстәлгәннән соң, эшкәртү тизлеге артачак, ләкин төрле O2/SF6 агым нисбәтләре астында төрле реакция механизмнары булачак, аларны өч өлешкә бүлеп була: (1) O2/SF6 агым нисбәте бик кечкенә, O2 SF6 диссоциациясенә ярдәм итә ала, һәм бу вакытта эшкәртү тизлеге O2 өстәлмәгән вакытка караганда югарырак. (2) O2/SF6 агым нисбәте 1 гә якынлашкан арада 0,2 дән зуррак булганда, бу вакытта, SF6 диссоциациясенең F атомнарын формалаштыру өчен зур күләме аркасында, эшкәртү тизлеге иң югары була; ләкин шул ук вакытта плазмадагы O атомнары да арта һәм SiNx пленка өслеге белән SiOx яки SiNxO(yx) формалаштыру җиңел, һәм O атомнары күбрәк арткан саен, F атомнары өчен гравировка реакциясе авыррак булачак. Шуңа күрә, O2/SF6 нисбәте 1 гә якын булганда, гравировка тизлеге әкренәйә башлый. (3) O2/SF6 нисбәте 1 дән зуррак булганда, гравировка тизлеге кими. O2 ның зур артуы аркасында, диссоциацияләнгән F атомнары O2 белән бәрелешәләр һәм OF формалаша, бу F атомнары концентрациясен киметә, нәтиҗәдә гравировка тизлеге кими. Моннан күренгәнчә, O2 өстәлгәндә, O2/SF6 агым нисбәте 0,2 һәм 0,8 арасында була, һәм иң яхшы гравировка тизлегенә ирешергә мөмкин.
Бастырылган вакыты: 2021 елның 6 декабре
